軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性、釋放旋轉涂膠產(chǎn)生的內應力、改善線(xiàn)寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進(jìn)行，軟烘設備工作原理如圖2.17所示，硅片放在真空熱板上，熱量從硅片背面通過(guò)熱傳導方式加熱光刻膠。一般軟烘溫度為85~120℃，時(shí)間為30~60S。軟烘后將硅片轉移到軌道系統的冷板上冷卻以便下一步操作。

以光學(xué)紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學(xué)系統的聚焦范圍內，硅片的對準標記與掩模版上相匹配的標記對準后，紫外光通過(guò)光學(xué)系統和掩模版圖形進(jìn)行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。